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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kllisre 0000 8GB
Comparar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Kllisre 0000 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Kllisre 0000 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kllisre 0000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
52
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
1,906.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kllisre 0000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
49
Velocidade de leitura, GB/s
4,672.4
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,906.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
698
2220
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Kllisre 0000 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kllisre 0000 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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