RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
36
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
22
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
1886
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link