RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
13.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3266
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link