RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
13.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3416
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link