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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3293
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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