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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
36
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
11.1
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3167
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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