RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
10.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
10.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2443
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link