RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
10.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de -9% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
10.2
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2800
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link