RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
10.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2672
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link