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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
43
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
9.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
43
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2532
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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