RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
36
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.1
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
3437
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link