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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Razões a considerar
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
9.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.1
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2488
3268
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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