RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3026
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link