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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2982
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB Comparações de RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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