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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
33
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.3
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
20
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3492
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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