RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3687
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512S64BP8-C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link