RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
66
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
66
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1909
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link