RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
33
Por volta de -6% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
31
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3179
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link