RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2489
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link