RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
33
Por volta de -14% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2797
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link