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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
33
Por volta de -50% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2738
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
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