RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
33
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
19
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3192
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link