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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
71
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
71
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1757
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
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