RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
33
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
23
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3136
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link