Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Pontuação geral
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.6 left arrow 11.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.0 left arrow 8.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 19200
    Por volta de 1.33% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    32 left arrow 33
    Por volta de -3% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    33 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    17.6 left arrow 11.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.0 left arrow 8.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2910 left arrow 2585
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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