RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
33
Por volta de -3% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
32
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2434
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link