RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
41
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2621
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link