RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
33
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
26
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3180
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link