RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2907
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link