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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
42
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
42
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3033
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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