RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de -22% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
27
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2148
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link