RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Comparar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
17.9
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3030
3550
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link