RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Comparar
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
34
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
34
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3116
3153
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Mushkin 994083 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link