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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Comparar
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.9
8.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2981
2588
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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