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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
36
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
26
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
15.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
3783
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
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