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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
49
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2302
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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