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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
37
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
37
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2438
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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