RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
31
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2464
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link