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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
23
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3356
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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