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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
23
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
20
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3471
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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