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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
28
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3332
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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