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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
32
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2858
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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