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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
29
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3049
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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