RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
38
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
9.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2110
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link