RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
23
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
16.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3723
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link