RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
39
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
11.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2782
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link