RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
32
Por volta de 28% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2933
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Jinyu 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link