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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2442
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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