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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
31
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
3256
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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