RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2670
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Relatar um erro
×
Bug description
Source link